ประเทศจีนผู้ผลิตเครื่องตัดเลเซอร์ SiC ซัพพลายเออร์ โรงงาน - บริการที่กำหนดเอง

ผู้จำหน่ายเครื่องตัดเลเซอร์เซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) มืออาชีพของคุณ!

YCLaser พัฒนาและผลิตเครื่องประมวลผลด้วยเลเซอร์สำหรับเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ครอบคลุมถึงการตัดที่แม่นยำ การตัดรูปร่าง การเจาะ การขีดเขียน การกัดร่อง การตัดแต่ง และกระบวนการตัดเฉือนแบบกำหนดเองอื่น ๆ

Silicon carbide

เครื่องตัดเลเซอร์ UV เซรามิก SiC
เครื่องตัดเลเซอร์ UV เซรามิก SiC ได้รับการออกแบบมาเพื่อการตัด การเจาะ การเขียน และการตัดเฉือนไมโครของส่วนประกอบเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) อย่างแม่นยำ

ดูเพิ่มเติม
เครื่องตัดเลเซอร์ QCW เซรามิก SiC
เครื่องตัดเลเซอร์ SiC Ceramic QCW ได้รับการออกแบบมาเพื่อการตัดและเจาะส่วนประกอบเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ประสิทธิภาพสูง-ที่มีความหนาโดยทั่วไปตั้งแต่ 0.3 ถึง 6 มม.

ดูเพิ่มเติม
เครื่องเจาะเลเซอร์โซลาร์เซลล์พลังงานแสงอาทิตย์
แนะนำอุปกรณ์ เครื่องนี้ติดตั้งระบบไฟเบอร์เลเซอร์กำลังสูง-สำหรับการตัด การเจาะ และการเขียนรอยเซรามิกขั้นสูงอย่างแม่นยำ ปรับให้เหมาะสมสำหรับวัสดุที่มีความแข็งเป็นพิเศษ- รวมถึงซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC)

ดูเพิ่มเติม
เครื่องหั่นลูกเต๋าเลเซอร์เวเฟอร์ SiC Power Device
คำอธิบายผลิตภัณฑ์ เครื่องหั่นเลเซอร์เวเฟอร์ SiC Power Device ได้รับการออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับการแยกและหั่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์กำลัง และพื้นผิวเซรามิกขั้นสูงอย่างแม่นยำ

ดูเพิ่มเติม

โซลูชันการตัดด้วยเลเซอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์

วัสดุ:ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)
กำลังประมวลผล:การตัด · การเจาะ · การขีดเขียน · การเซาะร่อง · การตัดแต่ง · การใช้เครื่องจักรขนาดเล็ก
ตัวเลือกเลเซอร์:355nm UV · ไฟเบอร์ QCW 1060–1080nm · UV Picosecond
ความหนา QCW ทั่วไป:ประมาณ. 0.3–6 มม
ประเภทเครื่อง:ระบบการประมวลผลเลเซอร์อุตสาหกรรมแบบกำหนดเอง

*ความสามารถในการประมวลผลจริงขึ้นอยู่กับองค์ประกอบ SiC ความหนาแน่น ความหนา รูปทรง เส้นผ่านศูนย์กลางรู ขอบ-ข้อกำหนดด้านคุณภาพ และเงื่อนไขอื่นๆ ของกระบวนการ

เหตุใดจึงเลือก WHYC Laser สำหรับการประมวลผล SiC

โซลูชันเลเซอร์ SiC หลายรายการ

WHYC Laser ให้การกำหนดค่านาโนวินาที UV, ไฟเบอร์ QCW นาโนวินาที และเลเซอร์พิโควินาที UV สำหรับข้อกำหนดการประมวลผล SiC ที่แตกต่างกัน

วัสดุ-การพัฒนากระบวนการเฉพาะ

เราพัฒนาพารามิเตอร์เลเซอร์ตามวัสดุ SiC จริง แทนที่จะอาศัยเฉพาะกำลังเลเซอร์หรือความหนาที่กำหนดเท่านั้น

การกำหนดค่าเครื่องที่กำหนดเอง

พื้นที่ทำงาน พลังงานเลเซอร์ ระบบออพติคอล แท่นการเคลื่อนไหว การวางตำแหน่งการมองเห็น ระบบอัตโนมัติ และระบบเสริมสามารถกำหนดค่าได้ตามการใช้งาน

ประสบการณ์การประมวลผลเซรามิกขั้นสูง

ระบบเลเซอร์ของเราได้รับการออกแบบสำหรับวัสดุ-ถึง-เครื่องจักรที่ยาก รวมถึง SiC, Si₃N₄, AlN, Al₂O₃, ZrO₂ และเซรามิกขั้นสูงอื่นๆ

การทดสอบตัวอย่างก่อนการลงทุนอุปกรณ์

ลูกค้าสามารถจัดเตรียมตัวอย่างและแบบร่างสำหรับการประเมินกระบวนการก่อนที่จะเลือกการกำหนดค่าเครื่องจักรขั้นสุดท้าย

การสนับสนุนอุปกรณ์แบบครบวงจร

ตั้งแต่การเลือกแหล่งที่มาของเลเซอร์-และการพัฒนากระบวนการไปจนถึงการผลิตเครื่องจักร การทดสอบ การติดตั้ง และการสนับสนุนทางเทคนิค เรามีโซลูชันการประมวลผลด้วยเลเซอร์-แบบครบวงจร

ความสามารถในการประมวลผลเลเซอร์ SiC

กระบวนการ	การใช้งานทั่วไป
การตัดที่แม่นยำ	ส่วนประกอบเซรามิก SiC แบบบาง
การตัดโปรไฟล์	รูปทรง SiC ที่ซับซ้อน
การเขียน	การแยกเซรามิกและการแปรรูปพื้นผิว
การเซาะร่อง	ช่องแคบและใช้งานได้ดี
การเจาะ-ขนาดใหญ่	ช่องเปิดโครงสร้างและการใช้งาน
การเจาะรูขนาดเล็ก-	รูละเอียดและอาร์เรย์รู
ตัดแต่ง	การตกแต่งขอบและโปรไฟล์
การตัดแหวน	ส่วนประกอบ SiC แบบวงกลม
การแบทช์แบทช์	การผลิตที่มีประสิทธิภาพสูง-
การประมวลผลรูปแบบ	โครงสร้างเซรามิกชั้นดี

การกำหนดค่าเครื่องตัดเลเซอร์ SiC ทั่วไป

ระบบการประมวลผลด้วยเลเซอร์ยูวี

รายการ	ข้อมูลจำเพาะ
อุปกรณ์	ระบบการประมวลผลด้วยเลเซอร์ยูวี
แอปพลิเคชัน	การตัดด้วยเลเซอร์เซรามิก SiC และการตัดเฉือนขนาดเล็ก
ความยาวคลื่นเลเซอร์	355 นาโนเมตร
ประเภทเลเซอร์	เลเซอร์ยูวีนาโนวินาที
พลังเลเซอร์	20W
ความถี่เลเซอร์	50–200กิโลเฮิร์ตซ์
พื้นที่การประมวลผลสูงสุด	300 × 300มม.*
ฟิลด์การสแกนเดี่ยว	50 × 50มม
Z-การเคลื่อนที่ของแกน	50มม
จุดโฟกัสขั้นต่ำ	20μm
ความกว้างของเส้นแกะสลักขั้นต่ำ	15μm
ความแม่นยำของตำแหน่งโต๊ะทำงาน	±3μm
การทำซ้ำโต๊ะทำงาน	±2μm
ความแม่นยำในการกำหนดตำแหน่งการมองเห็น CCD	±3μm
ความเร็วในการสแกนสูงสุด	7000 มม./วินาที
ระบบดูด	ปริมาณลมพัดลม 100m³/ชม
ช่วงอุณหภูมิเครื่องทำความเย็น	18–24 องศา
ความแม่นยำของอุณหภูมิเครื่องทำความเย็น	น้อยกว่าหรือเท่ากับ 0.2 องศา
พาวเวอร์ซัพพลาย	220V, 50Hz
การใช้พลังงานทั้งหมด	5kW
ขนาดเครื่อง	1500 × 1400 × 1800มม
ประมาณ น้ำหนักเครื่อง	1500กก
ซอฟต์แวร์	กัลวาโนมิเตอร์ + แพลตฟอร์มการเคลื่อนไหวที่ประสานงานการควบคุม
รองรับไฟล์ CAD	มาตรฐาน DXF
รองรับการวาดภาพขนาดใหญ่	1GB+
เลเซอร์เสริม	ยูวีพิโควินาทีเลเซอร์

*พื้นที่การประมวลผล 300 × 300 มม. ทำได้โดยการสแกนกัลวาโนมิเตอร์แบบประสานงานและการเคลื่อนที่-การเคลื่อนที่ของแพลตฟอร์ม สนามกัลวาโนมิเตอร์เดี่ยวคือ 50 × 50 มม.

ระบบตัดเลเซอร์ QCW

รายการ	ข้อกำหนดทั่วไป
พารามิเตอร์	ช่วงที่แนะนำ
ความยาวคลื่นเลเซอร์	1,060-1080 นาโนเมตร
กำลังขับเลเซอร์	150W-1000W
ช่วงการตัดสูงสุด	น้อยกว่าหรือเท่ากับ 300*400 มม
ความหนาในการตัด	0.2-10มม
วัสดุ	ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) เซรามิก
ประเภทเลเซอร์	เลเซอร์ QCW ไฟเบอร์นาโนวินาที
ความหนาทั่วไป	0.3–6มม
การประมวลผลหลัก	การตัด การเจาะ การเซาะ การตัดแต่ง
การประมวลผลรูขนาดใหญ่-	เหมาะสม
ความแม่นยำของการวางตำแหน่งซ้ำของแกน X/Y	±5um
ความเร็วในการประมวลผล	0-2000 มม./นาที
ความเร็วระยะทางสูงสุด	50ม./นาที
ความแม่นยำของเครื่องจักร	±0.01-0.02มม
ความแม่นยำของโต๊ะทำงาน	น้อยกว่าหรือเท่ากับ 0.015 มม
โหมดการส่ง	มอเตอร์เชิงเส้นที่นำเข้า +0.5 ไม้บรรทัดตะแกรงอืม
กำลังเครื่องทั้งหมด (ไม่มีพัดลม)	น้อยกว่าหรือเท่ากับ 5KW
น้ำหนักรวมของเครื่องทั้งหมด	(ประมาณ)1200กก
มิติภายนอก (ยาว * กว้าง * สูง)	115015001850มม
การประมวลผลรูขนาดเล็ก-	ไม่ใช่แอปพลิเคชันหลัก
การใช้งานทั่วไป	ส่วนประกอบ SiC โครงสร้างและหน้าที่
โหมดการประมวลผล	การประมวลผลด้วยเลเซอร์ CNC
การปรับแต่ง	มีจำหน่ายตามความต้องการของชิ้นงานและกระบวนการ

*ความสามารถด้านความหนาจริงขึ้นอยู่กับองค์ประกอบ SiC ความหนาแน่น รูปทรง เส้นทางการตัด และคุณภาพของคมตัดที่ต้องการ

การประยุกต์ใช้การประมวลผลด้วยเลเซอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์

อุปกรณ์การผลิตเซมิคอนดักเตอร์

เซรามิก SiC ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์การผลิตเซมิคอนดักเตอร์ เนื่องจากมีความเสถียรทางความร้อน ทนต่อสารเคมี และมีความคงตัวของมิติ

เพาเวอร์อิเล็กทรอนิกส์

ส่วนประกอบเซรามิก SiC สามารถใช้ในการใช้งานที่มีความต้องการพลังงาน-อิเล็กทรอนิกส์และอุณหภูมิสูง-

อุปกรณ์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์

ส่วนประกอบ SiC ใช้ในอุปกรณ์การผลิตเซลล์แสงอาทิตย์และระบบเตาเผาที่มีอุณหภูมิสูง-

การบินและอวกาศและยานยนต์

คุณสมบัติทนต่ออุณหภูมิและการสึกหรอ-สูงของ SiC ทำให้เหมาะสำหรับชิ้นส่วนการบินและอวกาศและยานยนต์ที่เลือก

เซรามิกอุตสาหกรรม

การประมวลผลด้วยเลเซอร์ SiC ยังใช้สำหรับชิ้นส่วนอุตสาหกรรมที่ต้องการความแข็งสูง ทนต่อความร้อน และทนต่อการสึกหรอ

ตัวอย่างการประมวลผลเลเซอร์ SiC ทั่วไป

ตัวอย่างการเจาะซิลิคอนคาร์ไบด์

การจัดเรียงรูเจาะขนาดเล็ก-ที่แม่นยำพร้อมการวางตำแหน่งที่แม่นยำและรูปทรงของรูที่สม่ำเสมอ

ปฏิกิริยา-ตัวอย่างซิลิกอนคาร์ไบด์ที่ถูกพันธะ

การตัด SiC ที่เกิดปฏิกิริยา{0}}อย่างแม่นยำสำหรับส่วนประกอบโครงสร้างที่ซับซ้อน

ตัวอย่างการเจาะท่อซิลิคอนคาร์ไบด์

การเจาะแก้มยางอย่างแม่นยำด้วยรูที่สะอาด{0}}มีการกำหนดไว้อย่างดี

ตัวอย่างการตัดซิลิคอนคาร์ไบด์

การตัดรูปร่างที่แม่นยำด้วยรอยตัดที่สม่ำเสมอและขอบที่สะอาด

ทดสอบ SiC ของคุณก่อนตัดสินใจลงทุน

ไม่แน่ใจว่าแอปพลิเคชัน SiC ของคุณต้องใช้การประมวลผลด้วยเลเซอร์ UV, QCW หรือพิโควินาทีใช่หรือไม่

ส่งคำถามของคุณถึงเรา!

วัสดุ:เกรด SiC หรือข้อกำหนดวัสดุ
ความหนา:ความหนาของเซรามิก
ขนาดชิ้นส่วน:ขนาดชิ้นงานสูงสุด
การวาดภาพ:DXF, DWG, PDF หรือรูปแบบอื่น ๆ ที่มี
เส้นผ่านศูนย์กลางรู:หากจำเป็นต้องเจาะ
กำลังประมวลผล:การตัด / การเจาะ / การขีดเขียน / การเซาะ / การตัดแต่ง
คุณภาพ:ข้อกำหนดความทนทานต่อมิติและขอบ-ด้านคุณภาพ
การผลิต:ปริมาณการผลิตที่คาดหวัง

วิศวกรของเราจะใช้ข้อมูลนี้เพื่อแนะนำแหล่งกำเนิดเลเซอร์ ระบบออพติคัล แพลตฟอร์มการเคลื่อนไหว และกลยุทธ์การประมวลผลที่เหมาะสม

ส่งตัวอย่าง SiC ของคุณเพื่อทำการทดสอบ →

คำถามที่พบบ่อย

ถาม: เลเซอร์ชนิดใดที่เหมาะกับการตัดซิลิคอนคาร์ไบด์มากที่สุด

ตอบ: ไม่มีเลเซอร์ตัวใดที่เหมาะกับการใช้งาน SiC ทุกประเภท. 355เลเซอร์ UV นาโนเมตรมักจะเหมาะสำหรับ SiC ที่บาง โครงสร้างที่ละเอียด และรูขนาดเล็ก- ในขณะที่เลเซอร์ไฟเบอร์ QCW นั้นเหมาะสมกับ SiC ที่หนากว่า รูปร่างที่ใหญ่กว่า รูที่ใหญ่กว่า และการประมวลผลที่มีประสิทธิภาพสูง- เลเซอร์พิโควินาที UV สามารถนำมาพิจารณาสำหรับการใช้งานที่ต้องการคุณสมบัติที่ละเอียดกว่าหรือลดผลกระทบจากความร้อน

ถาม: เลเซอร์สามารถตัด SiC แบบหนาได้หรือไม่

ก. ใช่. ระบบไฟเบอร์เลเซอร์ QCW สามารถกำหนดค่าสำหรับการตัดเซรามิก SiC ที่หนาขึ้นได้ ระบบ WHYC Laser QCW ที่เป็นตัวแทนมีช่วงการประมวลผลโดยทั่วไปประมาณ 0.3–6 มม. ขีดจำกัดทางทฤษฎีคือ 10 มม. ซึ่งไม่แนะนำให้ใช้เป็นมาตรฐานการผลิตจำนวนมาก

ถาม: คุณสามารถเจาะ SiC ด้วยเลเซอร์ได้หรือไม่

ก. ใช่. สามารถเจาะ SiC ด้วยเลเซอร์เพื่อเจาะรูยึด รูวางตำแหน่ง ช่องเปิดขนาดใหญ่ รูไมโคร- และอาร์เรย์ของรู เลเซอร์ที่เหมาะสมจะขึ้นอยู่กับเส้นผ่านศูนย์กลางของรู ความหนาของวัสดุ อัตราส่วนภาพ และคุณภาพของรูที่ต้องการ

ถาม: เลเซอร์ QCW สามารถเจาะรูขนาดเล็ก-ใน SiC ได้หรือไม่

ตอบ: ระบบเลเซอร์ QCW ได้รับการออกแบบมาเพื่อรูที่ใหญ่กว่าและช่องเปิดที่มีโครงสร้างเป็นหลัก แทนที่จะเป็นรูขนาดเล็ก-ที่มีความแม่นยำ สำหรับรูที่เล็กมากและอาร์เรย์รูละเอียด โดยทั่วไปแล้ว เลเซอร์ UV 355 นาโนเมตรหรือเลเซอร์พิโควินาทีแบบ UV จะเหมาะสมกว่า

ถาม: เลเซอร์ UV ดีกว่า QCW สำหรับ SiC หรือไม่

ตอบ: ขึ้นอยู่กับการใช้งาน โดยทั่วไปแล้ว UV มักนิยมใช้สำหรับ SiC แบบบาง โครงสร้างที่ละเอียด รูขนาดเล็ก- ช่องที่แคบ และการประมวลผลที่มีความแม่นยำ โดยทั่วไปแล้ว QCW มักนิยมใช้สำหรับ SiC ที่หนากว่า รูปทรงขนาดใหญ่ รูขนาดใหญ่ และการผลิตที่มีปริมาณงานสูง-

ถาม: เครื่องจักรสามารถประมวลผลรูปทรง SiC ที่ซับซ้อนได้หรือไม่

ก. ใช่. การประมวลผลด้วยเลเซอร์ที่ควบคุมโดย CNC- สามารถทำตามรูปทรง CAD แบบกำหนดเองได้ และสร้างรูปทรงที่ซับซ้อน ร่อง วงแหวน ช่องเปิด และโปรไฟล์ที่ไม่ปกติโดยไม่ต้องใช้แม่พิมพ์ตัดเชิงกลโดยเฉพาะ

ถาม: คุณสามารถทดสอบตัวอย่าง SiC ของเราก่อนซื้ออุปกรณ์ได้หรือไม่

ก. ใช่. แนะนำให้ทำการทดสอบตัวอย่างเนื่องจากข้อกำหนดขององค์ประกอบ SiC ความหนาแน่น ความหนา รูปทรง และคุณภาพอาจส่งผลกระทบอย่างมากต่อผลลัพธ์การประมวลผล ลูกค้าสามารถจัดเตรียมตัวอย่าง ภาพวาด และข้อกำหนดทางเทคนิคสำหรับการประเมินผลได้

ถาม: เครื่องตัดเลเซอร์ SiC สามารถปรับแต่งได้หรือไม่

ก. ใช่. กำลังเลเซอร์ พื้นที่ทำงาน ระบบออพติคัล แพลตฟอร์มการเคลื่อนไหว การวางตำแหน่งการมองเห็น ระบบอัตโนมัติ และฟังก์ชันการประมวลผล สามารถปรับแต่งได้ตามการใช้งาน

เราเป็นหนึ่งในผู้ผลิตเครื่องตัดเลเซอร์ sic และซัพพลายเออร์ที่เป็นมืออาชีพมากที่สุดในประเทศจีน และยังสนับสนุนบริการที่กำหนดเองอีกด้วย มีอิสระที่จะซื้อเครื่องตัดเลเซอร์ sic อุตสาหกรรมเพื่อขายที่นี่และรับใบเสนอราคาจากโรงงานของเรา หากต้องการคำปรึกษาด้านราคาโปรดติดต่อเรา